【印聯(lián)傳媒網(wǎng)訊】近期，HGST與納米印刷成功創(chuàng)造出大面積高密度存儲介質(zhì)，使得硬盤單碟容量翻倍。
WesternDigital旗下HGST宣布，已通過將融合self-assemblingmolecules(分子自組裝)和nanoimprinting(納米印刷)技術，成功創(chuàng)造出大面積高密度存儲介質(zhì)，其magneticislands磁島寬度只有10nm，是目前硬盤技術的兩倍，可望于未來數(shù)年內(nèi)大幅提高機械硬盤的存儲密度，讓單碟容量可望提升。
據(jù)HGST表示，新技術能夠讓magneticislands磁島寬度只相當于大約50個原子寬，或者人類頭發(fā)絲的十萬分之一。其中，自組裝分子使用的雜化聚合物，為互相排斥的段組成的嵌段共聚物，表面上作為薄膜涂層，聚合物鏈段的大小決定的行間距，結合轉換為模板的納米壓印，將納米尺度模式到一個芯片或磁盤基板的模式，令magneticislands磁島寬度只有10nm。
HGST還提供了路線圖，指出如何經(jīng)濟有效地提遠遠升磁島密度，無需使用任何傳統(tǒng)的光刻技術便可令硬盤尺寸更小。目前HGST實驗室已測試出其出色的讀寫速度和數(shù)據(jù)保存能力，擴展到整個硬盤之后，將可望達到超過一萬億個磁島，進而降低晶格介質(zhì)(bit-patternedmedia)的成本，并可望于未來數(shù)年內(nèi)大幅度提高機械硬盤的存儲密度。
此外，據(jù)HGSTResearch副總裁CurrieMunce表示，新興的自組裝分子和納米壓印技術將產(chǎn)生巨大的影響，使納米制造成為一個成本效益的方式，并增加在磁性硬盤驅(qū)動器上的數(shù)據(jù)密度。
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